隨著先進製程正式邁入2奈米世代，晶圓製造技術正迎來自FinFET以來最劇烈的結構變革，其中晶圓級多晶片模組（WMCM）與晶背供電（BSPDN）被視為摩爾定律2.0的核心推進力。法人指出，兩大技術可大幅縮短電源傳輸距離、降低電阻與功耗，是驅動AI、高效能運算（HPC）及車用晶片邁向更高效能的關鍵基礎，也將帶動前段設備投資新一波浪潮，市場看好設備廠弘塑、均華、萬潤、鴻勁可受搶下未來新商機。

業者表示，傳統製程中，電源線與訊號線均分布於晶片頂層金屬層，隨著節點微縮，導線密度與互擾問題日益嚴重，晶背供電是將電源網絡轉移至晶圓背面，藉此縮短電源傳輸距離並釋放頂層金屬空間，亦可改善超過10％的功耗表現。台積電將在2奈米或更先進製程導入背面供電。

晶背供電需在晶圓後段增加金屬層沉積、蝕刻、導線布建與CMP等步驟，整體製程站點將比現行製程增加2～3成。法人指出，將帶動蝕刻、薄膜沉積、化學機械平坦化（CMP）、電鍍，以及AOI檢測等設備市場同步升級，對供應鏈廠商而言是結構性成長契機。

弘塑作為國內關鍵前段蝕刻設備及清洗設備廠，背面電源層布建需多次蝕刻與金屬層去除，相關設備需求有望大幅成長。弘塑已切入先進製程關鍵設備供應鏈，隨2奈米量產臨近，未來訂單能見度持續提升。

　均華則在CMP與薄膜沉積設備具領先技術，背面金屬層層數增加，使CMP製程次數與精度要求同步上升，均華長線受益明顯。

　AOI與自動化檢測需求亦隨BSPDN導入而攀升，萬潤的光學檢測與對位設備在晶圓後段新增製程中需求強勁。

另一家關鍵供應商鴻勁則擅長晶圓背面光學量測與線寬檢測技術，隨著背面金屬導線布建複雜度提高、線寬與厚度控制成為良率關鍵，鴻勁的背面AOI與量測設備出貨可望受惠，營運動能進一步提升。

　市場普遍預期，WMCM與BSPDN技術不僅是2奈米世代的效能突破口，更將在後續A14、A10製程中持續延伸價值。法人看好，台積電與英特爾將於2026年起相繼量產，帶動前段設備與檢測投資進入新高峰，預估相關設備市場的年複合成長率可望達15％以上。