台灣專業碳化矽（SiC）長晶技術領導廠商-格棋化合物半導體（下稱格棋），於SEMICON Taiwan 2025展出最新大尺寸SiC材料解決方案，聚焦晶體缺陷密度與結構完整性的突破，以滿足業界對高可靠度、高一致性SiC晶圓日益升高的需求。此次展示格棋最新製造成果，包括：原始粉體、8吋導電與半絕緣晶棒與晶圓，體現其從原料到晶圓的垂直整合能力，也為SiC材料應用從實驗走向量產的關鍵里程碑。

隨著電動車、高頻通訊與衛星應用的擴張，8吋SiC晶圓成為新一代功率元件的材料核心。然而，「尺寸放大」並非技術終點，更嚴峻的挑戰是晶體缺陷控制。格棋針對常見的微管（Micropipe）、堆疊錯位（SF）、基底位錯（BPD）等問題，已建構出一套跨越熱場設計、碳比控制、雜質抑制到結晶動態調控的製程策略，將缺陷密度壓低至10²╱cm²以下，大幅提升晶圓可用率與客戶加工良率。

此次展出的5項實體成果，涵蓋高純度粉體、8吋半絕緣與導電型晶棒及晶圓，展現格棋可從原料端控制碳矽比例與熱流均勻性，進而降低晶體內部壓力與多晶型生成率。不論是用於雷達與微波通訊的高頻元件，或車用主驅動模組與能源逆變器，格棋均能提供可驗證、可交付的材料方案，協助客戶更快進入新產品認證流程。

此次展會另一亮點是格棋業務處長吳義章榮獲SEMICON Taiwan主辦的「20 Under 40半導體新銳獎」，表彰其在第三類半導體材料產業推動上的技術深耕與市場落地表現。

　SEMICON Taiwan 2025格棋化合物半導體公司大秀最新大尺寸SiC材 料解決方案，聚焦晶體缺陷密度與結構完整性的突破，回應業界對高 可靠度、高一致性SiC晶圓迫切需求。

　　今年半導體展，格棋推出最新研製成果，包括原始粉體、8吋導電 、半絕緣晶棒與晶圓，體現從原料到晶圓垂直整合能力，彰顯格棋S iC材料應用已從實驗室跨入量產的新里程碑。

　　■低缺陷密度 8吋SiC主戰場

　　隨著電動車、高頻通訊與衛星應用擴張，8吋SiC晶圓成新一代功率 元件材料核心。然而，「尺寸放大」本身並非技術終點，更嚴峻的挑 戰是晶體缺陷控制。格棋針對常見的微管、堆疊錯位、基底位錯等問 題，建構出一套跨越熱場設計、碳比控制、雜質抑制到結晶動態調控 製程策略，有效將缺陷密度壓低至102/cm2以下，大幅提升晶圓可用 率與客戶加工良率。

　　今年格棋展出的五項實體成果，涵蓋高純度粉體、8吋半絕緣與導 電型晶棒及晶圓，展現從原料端控制碳矽比例與熱流均勻性，進而降 低晶體內部壓力與多晶型生成率。

　　不論用於雷達與微波通訊高頻元件，或車用主驅動模組與能源逆變 器，格棋均能提供可驗證、可交付的材料方案，協助客戶更快進入新 產品認證流程。

　　■打造差異化本土SiC供應鏈

　　在全球8吋SiC晶圓仍多停留於實驗線階段之際，格棋已具備6吋Si C晶圓穩定量產能力，並完成8吋晶棒與晶圓的製程實證，成為台灣少 數真正跨越技術門檻的業者。透過整合日本與台灣長晶模組技術，格 棋建立一套高重現性製程平台，包含種晶端純化處理、粉體雜質控制 、碳包覆抑制技術與熱場模擬，確保晶體成長過程中結構穩定性與應 力釋放曲線。

　　值得注意的，格棋在8吋導電型晶圓的成長穩定性已逐步接近試量 產標準，將可支援車用功率模組、工業電源與儲能系統的高壓高流需 求。另一方面，8吋半絕緣型晶圓則聚焦於雷達、射頻與航太通訊等 具備訊號精度與散熱挑戰的高端應用，高附加價值成果難能可貴。

　　■吳義章博士獲SEMI半導體新銳獎

　　展會另一亮點，格棋業務處長吳義章博士榮獲SEMI Taiwan主辦之 「20 Under 40 半導體新銳獎」，表彰其在第三類半導體材料產業推 動上的技術深耕與市場落地表現。格棋創業初期吳義章即參與技術規 劃與客戶驗證，也是「可交付材料文化」重要推手，促成團隊短時間 內完成從研發導向快速跨越到客戶認證。

　　面對產業鏈重組，客戶對材料供應商高度疑慮下，格棋以「晶圓品 質就是品牌信任」策略受到市場肯定，吳義章博士做出傑出貢獻，獲 頒本屆SEMI半導體新銳獎。

　　■打造本土技術護城河 主導產業

　　格棋強調，全球第三類半導體供應鏈重組，歐洲強化本地製造、中 國低價搶市、美國祭出IRA戰略自主牌，未來台灣要扮演關鍵供應角 色，勢必要從代工轉型材料供應主導者。

　　作為材料起家的技術型新創企業，格棋將持續推進可量產、可驗證 、可信賴的SiC製造體系，逐步建立台廠的技術護城河。今年半導體 展是格棋向全球宣示「低缺陷、高交付、在地製造」大戰略目標。

繼化合物半導體廠漢磊（3707）與大股東世界先進攜手建置8吋碳化矽（SiC）晶圓製造，該領域又有新兵加入，格棋化合物半導體昨（2）日宣布，將於第4季登錄興櫃。

董事長張忠傑表示，看好全球高效能源、電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求快速增長，第三類半導體材料中的碳化矽仍為關鍵核心。全球碳化矽龍頭Wolfspeed日前宣布重整，台積電也退出氮化鎵（GaN）代工業務，市場關注第三代半導體未來發展。

張忠傑指出，碳化矽應用面愈來愈廣，因此公司挺進12吋大尺寸，已在中壢設立試產線。張忠傑說，6吋平台現階段仍為公司量產主軸，具備規模效益與良率控制優勢，而8吋晶種長晶與熱場模組設計已完成前期驗證，後續將依據客戶產品世代轉換與應用需求，適時導入8吋製程平台，確保良率穩定與成本效益最佳平衡。

　看好碳化矽（SiC）發展潛力，格棋化合物半導體積極擴產，將於 第四季登錄興櫃。格棋將透過技術創新、產能韌性與去中化策略，深 化與北美及日本廠商的合作，提升國際市場能見度。

　　Yole Group最新《Power SiC 2025》報告，全球碳化矽功率元件市 場將於2030年突破103億美元，2024～2030年均複合成長率20.3％。 其中，6吋碳化矽晶圓仍是現階段主要產線平台，8吋則為中長期擴產 與降本方向，兩者將依應用需求長期共存。

　　格棋已具備6吋穩定量產能力，並完成8吋平台前期驗證，年底可望 放量。同時，格棋也已投入大尺寸晶圓（含12吋）研發，並規劃未來 合適時機導入量產。

　　格棋為台灣少數具備長晶、晶棒加工到晶圓出貨垂直整合的業者， 核心技術涵蓋材料物性控管、籽晶精度、熱場設計與模組穩定性。透 過自主開發與測試調整，成功降低結晶缺陷密度，晶圓導電穩定性已 達國際水準。

　　產能部署方面，格棋長晶爐規模已突破百台，並持續擴充。同時， 亦於台灣購地並興建萬坪新廠，規劃成為總部與研發中心，全面提升 產能彈性與營運韌性。

　　格棋產品線涵蓋導電型與半絕緣型晶圓，應用於電動車主驅模組、 光儲逆變器與AI高功率伺服器，並已通過多家國際大廠驗證。

　　面對「去中化」趨勢，格棋展現自製與客戶認證能力，可確保供應 安全。該公司同時導入「虛擬IDM」模式，整合原料來源、長晶、設 計驗證到終端模組應用，打造一站式服務，針對不同區域客戶提供在 地化支援。

　　格棋也啟動北美、日本與歐洲合作計畫，並規劃設立技術據點，為 國際Tier 1車廠與通訊大廠提供即時服務，加速碳化矽在全球的落地 進程。

　　董事長張忠傑指出，碳化矽並非快速爆發型市場，而是具備長期技 術壁壘與應用黏著度的戰略材料。格棋預計四季登錄興櫃，透過資本 市場推動產能規模與研發投入，奠定台灣在全球碳化矽材料供應鏈中 的戰略地位。

台灣專業碳化矽（SiC）長晶技術領導廠商-格棋化合物半導體（簡稱格棋）宣布，榮獲第23屆「金峰獎—大型企業組」十大傑出企業肯定，創辦人暨董事長張忠傑同時榮膺「十大傑出創業楷模」，展現企業與領導人兼具卓越技術實力與創業精神的高度肯定。此次雙料獲獎，彰顯格棋在SiC長晶技術領域的創新突破與卓越營運成果，亦凸顯其致力推動綠色科技與永續發展的企業承諾。

董事長張忠傑表示：「格棋專注SiC長晶技術研發近十年，這項榮譽是團隊長期投入的共同成果，未來我們將持續強化技術實力，結合綠色永續理念，拓展國際市場，朝全球頂尖企業目標穩步邁進。」

格棋持續深耕晶體生長與晶圓製造領域，憑藉卓越的研發實力與技術創新，產品廣泛應用於電動車、AI伺服器、儲能系統等，成為推動次世代能源轉型的重要推手。因應全球對先進功率元件日益攀升的需求，格棋積極部署8吋SiC晶圓產能，預計2025年底，8吋SiC長晶爐將擴增至百台規模，將進軍日本、歐洲與北美市場，強化全球戰略布局。

格棋開發的四大技術優勢涵蓋：原材料物性控管、穩定的籽晶沾黏技術、先進熱場參數控制，及高穩定性的模組設計與組裝。完整技術鏈可有效降低晶體缺陷率，提升晶圓效率、穩定性與使用壽命，奠定格棋於高效能SiC材料領域的領先地位。此外，格棋亦導入「虛擬IDM」營運模式，串聯從原料、加工、磊晶、設計到元件製造的上下游資源，提供一站式整合解決方案，為客戶打造更具效率與彈性的服務體驗。

格棋亦積極投入社會責任實踐，透過推動技術交流、培育專業人才，促進台灣在高效能源應用與綠色科技領域的整體發展。未來，將持續以技術創新為核心，拓展國際市場版圖，以成為全球化合物半導體產業的指標性企業。（劉靜君）